含噻吩碳纳米管导电剂制备磷酸锰铁锂新工艺以增强聚合物电子传导能力


天眼查知识产权数据显示,天能电池集团股份有限公司已申请一项专利,专利名为“一种含噻吩碳纳米管导电剂的磷酸锰铁锂的制备方法”,专利公开号为 CN202410384562.4,申请时间为 2024 年 3 月。

该专利摘要表明,本发明属于锂电池技术领域,公开了一种含噻吩碳纳米管导电剂的磷酸锰铁锂的制备方法。

本发明使用改性聚丙烯酸 LA133,此聚合物含有噻吩和吡咯硫等官能团。这些官能团可以通过包裹碳纳米管作为导电添加剂来提升磷酸锰铁锂的放电比容量性能。噻吩和吡咯硫具有良好的导电性,能够增强聚合物的电子传导能力。

含噻吩碳纳米管导电剂制备磷酸锰铁锂新工艺以增强聚合物电子传导能力

通过包裹碳纳米管,这些官能团可以进一步促进碳纳米管之间的电子传递,从而形成一个高效的导电网络。硫掺杂碳纳米管与改性后的聚丙烯酸 LA133 结合后,可以显著提升整体导电性。

该方法有助于保持材料在充放电过程中的结构稳定性,可将其用作导电添加剂应用于 LMFP 水系导电浆料中。

含噻吩碳纳米管导电剂制备磷酸锰铁锂新工艺以增强聚合物电子传导能力

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