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世界最小尺寸斯格明子赛道器件单元制备成功

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科技日报合肥7月16日电 (记者吴长锋)记者16日从安徽大学获悉，该校杜海峰教授带领新型拓扑磁性材料与存储器件团队，利用聚焦离子束微纳器件制备技术，成功制造出了世界上最小尺寸的斯格明子赛道器件单元。这一单元赛道宽度为100纳米，实现了纳秒电脉冲驱动下，100纳米宽度赛道中80纳米磁斯格明子的一维、稳定且高效运动。这一研究成果为构建高密度、高速度、可靠的新型拓扑磁电子学器件提供了重要支持。相关研究成果已经发表在《自然·通讯》上。 作为一种非常有价值的拓扑特性磁结构，磁斯格明子因为其尺寸小、稳定性高以及电流易操控等特点，有望成为下一代数据储存介质，用于构建新型的磁电子学器件。实现在纳米赛道中稳定可控地驱动磁斯格明子运动是器件构建中最关键的问题之一。 研究团队开发了一种聚焦离子束制备技术用于制造器件结构单元，设计制造了厚度均匀、边界表面平整、非晶层厚度小于两纳米的高质量纳米条带。这种纳米条带的宽度是目前报道的最小尺寸。研究人员还研制了透射电镜原位加电芯片，扩展了洛伦兹透射电镜原位加电的功能。通过控制电流脉冲的宽度和电流密度，利用赛道边界的边缘态磁结构稳定磁斯格明子的运动，研究团队成功实现了单个80纳米大小的磁斯格明子在100纳米赛道中的一维、稳定运动。 相关文章推荐阅读：
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