近期，存储行业回暖的趋势逐渐传导至上游材料端。

据韩国媒体报道，在AI数据中心对大容量NAND闪存需求的推动下，三星电子和SK海力士已将NAND工厂的开工率从去年的20-30%提升至70%以上。另一家存储巨头铠侠也将其两座NAND闪存工厂的产线开工率提高至100%，结束了自2022年10月开始的长达20个月的减产。

为了满足不断增长的NAND闪存需求，韩国多家半导体材料供应商，如Soulbrain、Wonik Materials和TEMC等，纷纷扩大了产能。

Soulbrain是三星电子的蚀刻液供应商，为其提供用于286层NAND闪存生产工艺净化所需的高选择性氮化物（HSN）蚀刻溶液。Wonik Materials为三星电子和SK海力士提供NAND闪存生产所需的特殊气体，用于3D NAND闪存蚀刻工艺流程。而TEMC则计划增加NAND闪存蚀刻工艺核心特殊气体羰基硫化物（COS）的供应，以提高NAND闪存精细图案蚀刻的效率。

随着供应能力的提升，这些半导体材料公司也上调了盈利预期。据韩国金融信息服务机构FNGuide的数据，Soulbrain预计第二季度营业利润将同比增长22%，Wonik Materials和TEMC则预计第二季度营业利润将分别同比增长200%和40%。

在AI大模型时代，云端和终端算力需求激增，除了备受关注的HBM等新型存储之外，其他“存力”路线也同样受益。

据TrendForce集邦咨询研究显示，受AI服务器自2月起扩大采用Enterprise SSD的推动，大容量订单开始涌现，同时PC、智能手机客户为了应对价格上涨而持续提高库存水位，这些因素共同推动2024年第一季度NAND Flash量价齐升，营收环比增长28.1%，达到147.1亿美元。

集邦咨询还表示，存储芯片价格或将继续上涨，预计今年第二季度DRAM内存新品合约价格将上涨13%-18%。

究其原因，除了买方希望支撑手中库存价格外，更重要的是AI热潮对存储业供需双方带来了心理上的转变。

就国内市场而言，近期存储芯片价格仍未出现明显上涨趋势。

据CFM闪存市场最新分析，目前存储需求持续疲软，渠道厂商加速出货，但议价空间已经很小，存储现货价格仍处于底部盘整期。

NAND Flash价格保持平稳，部分DDR颗粒价格略有上涨。

近期，国内多家存储和材料企业发布了半年报或季报预告，业绩喜人。

佰维存储（688525.SH）预计2024年半年度归属于母公司所有者的净利润为2.8亿元至3.3亿元，而去年同期则亏损2.96亿元。业绩扭亏为盈主要得益于行业复苏和公司业务的快速增长。

普冉股份（688766.SH）公告称，公司2024年4月至5月实现营业收入约3.38亿元，同比增长约131%。2024年以来，受益于下游市场景气度回升，公司产品出货量和营业收入同比大幅提升。2024年1月至5月，公司累计出货量约35亿颗，同比翻番。

鼎龙股份（300054.SZ）预计2024年半年度净利润为2.01亿元至2.21亿元，同比增长110%至130%。其中，CMP抛光垫销售额约3亿元，同比增长100.3%；YPI、PSPI等半导体显示材料业务合计销售额约1.68亿元，同比增长234.56%。鼎龙股份表示，显示材料的快速放量增强了公司整体盈利能力。先进封装材料和晶圆光刻胶等其他新材料业务也正在持续推进客户端验证。