芯联集成电路制造股份有限公司申请了一项名为“半导体器件及其制备方法”的专利（公开号：CN202410454944.X），申请日期为 2024 年 4 月。
根据专利摘要，本发明提供了一种半导体器件及其制备方法。该方法包括：
- 提供基底
- 在基底上依次形成：第一振膜、第一支撑结构、背极板、第二支撑结构。其中，第一支撑结构由下至上依次堆叠第一至第 M 层第一支撑层；第二支撑结构由上至下依次堆叠第一至第 M 层第二支撑层。
- 执行干法刻蚀工艺，刻蚀第二支撑结构和第一支撑结构，形成侧壁垂直的通孔
- 执行湿法刻蚀工艺，刻蚀通孔侧壁，使通孔两端侧壁倾斜，中间侧壁垂直。通孔两端宽度大于中间宽度。
- 形成支撑材料层填充通孔，形成支撑柱
该发明可改善器件应力集中现象，提高器件可靠性。
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